제품 소개신비한 포장 전자공학

금에 의하여 도금되는 텅스텐 구리 열 스프레더, 마이크로 전자 공학 포장 텅스텐 구리 Submount

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제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: JBNR
모델 번호: 50WCu, 75WCu, 80WCu, 85WCu, 90WCu

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 협상
가격: Negotiable
포장 세부 사항: 고객이 요구했다시피
배달 시간: 십오일
지불 조건: L/C, T/T, 서부 동맹
상세 제품 설명
자료: 텅스텐 구리 조밀도: 12.2
CTE: 12.5 TC를: 310
하이 라이트:

텅스텐 구리 열 스프레더

,

구리 몸리브덴 열 기초

금에 의하여 도금되는 텅스텐 구리 열 스프레더, 마이크로 전자 공학 포장 텅스텐 구리 Submount
 
 
묘사:

W Cu 열 싱크 물자에는 텅스텐 그리고 구리의 합성물, 두 텅스텐 낮은 확장 특성 전부와 더불어이고, 또한 높은 열 전도도 재산의 구리가 있고, 열 확장 계수 및 열 전도도에 있는 텅스텐 그리고 구리는 또한 중대한 편익을 가진 이 합성물의 각종 모양에 W Cu 구성으로, 합성물 수 있습니다 기계로 가공될, 이 특징 합니다 적용을 조정될 수 있습니다. 열 확장은 뒤에 오는 물자와 일치하기 위하여 조정될 수 있습니다:

(1) 도재: Al2O3 (A-90, A-95, A-99), BeO (B-95, B-99), AlN, 등;
(2) 반도체 물자: Si, GaAs, SiGe, SiC, 간격, GaAs, AlGaAs 등;
(3) 금속 물자: Kovar 합금 (4J29), 42 합금;
 
이점:
 
1. 높은 열 전도도
2. 우수한 hermeticity
3. 우수한 편평함, 지상 끝 및 크기 통제
4. 유효한 대략 완성되거나 완성되는 (도금되는 Ni/Au) 제품
5. 낮게 공허
 
제품 재산:
 

급료 W 내용 조밀도 g/cm3

열의 계수

확장 ×10-6 (20℃)

열 전도도를 가진 (M·K)
90WCu 90±2% 17.0 6.5 180 (25℃) /176 (100℃)
85WCu 85±2% 16.4 7.2 190 (25℃)/183 (100℃)
80WCu 80±2% 15.65 8.3 200 (25℃)/197 (100℃)
75WCu 75±2% 14.9 9.0 230 (25℃)/220 (100℃)
50WCu 50±2% 12.2 12.5 340 (25℃)/310 (100℃)

 
 
신청:
 
그들은 열 설치 판으로 광대하게, 칩 운반대, 텅스텐 구리 플랜지 및 맥박 같이 RF를 위해 광전자공학 증폭기를 위해 구조, 발광 다이오드 및 발견자, 레이저 다이오드 포장, 단 하나 이미터, 막대기 및 복잡한 운반대, 수신기, 전송기, 조율 가능한 레이저, 등 이용됩니다.
 
제품 그림:
 
금에 의하여 도금되는 텅스텐 구리 열 스프레더, 마이크로 전자 공학 포장 텅스텐 구리 Submount

연락처 세부 사항
Zhuzhou Jiabang Refractory Metal Co., Ltd

담당자: erin

전화 번호: +8613873213272

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)