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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 학년:: | Mo80Cu20, Mo75C25, Mo70Cu30, Mo60Cu40, Mo50Cu50 | 표면:: | 낮은 표면 거칠기 |
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| 디멘죤 :: | 고객 요구에 기초를 두는 | 도금:: | plaing 니켈 도금과 금 |
| 모양:: | 끼움쇠 또는 장 또는 날조된 부속 | ||
| 하이 라이트: | mocu 열 싱크,mocu |
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능률 80/20 몸리브덴 구리 모듈 70/30의 몸리브덴 구리 열 스프레더 예를 들면 IGBT 냉각
묘사:
믿을 수 있는 열 분산 재산으로, 우리의 몸리브덴 구리 열 싱크는 전자 부품에서 널리 씁니다.
우리의 물자는 높 힘 트랜지스터 같이 반도체 성분에서 수시로 찾아낼 수 있습니다, 예를 들면 IGBT 단위 또는 RF 증폭기는, 뿐 아니라 LED 잘게 썹니다.
MoCu 열 싱크는 구리의 우수한 열 전도도도 몸리브덴과 텅스텐의 낮은 열 확장을 결합합니다. 그리고 경험의 년으로, 우리는 또한 실리콘의 요구, GaAs에 응하기 위하여 복합 재료를 GaN 근거하 반도체 물자의 짓고. 따라서 당신이 우리의 물자를 선택하는 경우에, 당신은 실패를 피할 수 있어 과열하거나 기계적인 손상에서 유래하.
이점:
1. 이 몸리브덴 구리 기본 판은 높은 열 전도도 및 우수한 hermeticity를 특색짓습니다.
2. 몸리브덴 구리 플랜지는 대등한 텅스텐 구리 합성물 보다는 40% 점화기입니다.
3. 당신은 도금에 관하여 의혹이 있는 경우에, 우리는 당신에게 니켈 간격, 금 간격 같이 우리의 제안을 주어서 좋습니다.
게다가, 당신이 디자인 당신의 고성능 트랜지스터에 있는 열 싱크인 경우에, 우리는 당신의 참고를 위한 적당한 물자를 추천해서 좋습니다.
제품 재산:
| 급료 | Mo 내용 | 조밀도 g/cm3 |
열의 계수 확장 ×10-6 (20℃) |
열 전도도를 가진 (M·K) |
| 70MoCu | 70±2% | 9.8 | 7 | 200 (25℃)/196 (100℃) |
| 60MoCu | 60±2% | 9.66 | 7.5 | 222 (25℃)/217 (100℃) |
| 50MoCu | 50±2% | 9.5 | 10.2 | 250 (25℃)/220 (100℃) |
신청:
몸리브덴 구리 열 스프레더는 고체 레이저를 위한 마이크로파 운반대와 같은 신청에서 널리 이용됩니다 세라믹 기질 운반대, 레이저 다이오드 산, 광학적인 포장, 힘 포장, 나비 포장 및 수정같은 운반대, 등.
