제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 자료: | 텅스텐 구리 | 조밀도: | 텅스텐 내용으로 변화하는 |
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| CTE: | 9.0 | TC를: | 220 |
| 응용 프로그램: | 레이저 다이오드 서브 마운트s | 학년: | 50WCu, 75WCu, 80WCu, 85WCu, 90WCu |
| 하이 라이트: | 몸리브덴 구리 열 스프레더,텅스텐 구리 열 스프레더 |
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광학적인 원거리 통신 전송과 펌프 레이저 다이오드 단위를 위한 완벽한 밀폐력 WCu 기본 판
묘사:
텅스텐과 구리의 합성물입니다. 합성물의 열팽창률 (CTE)는 텅스텐의 내용을 세라믹스 (Al2O3 BeO), 반도체 (Si), 금속 (Kovar), 등과 같은 물자의 그것과 통제해서 일치하는 disigned 할 수 있습니다. 제품은 고주파 마이크로파, 고성능 다이오드 포장 및 광 통신 체계와 같은 분야에서 넓게 applicated.
이점:
1. 높은 열 전도도
2. 우수한 밀폐력
3. 우수한 편평함, 지상 끝 및 크기 통제
4. 유효한 대략 완성되거나 완성되는 (도금되는 Ni/Au) 제품
5. 낮게 공허
제품 재산:
| 급료 | W 내용 | 조밀도 g/cm3 | 열의 계수 확장 ×10-6 (20℃) | 열 전도도를 가진 (M·K) |
| 90WCu | 90±2% | 17.0 | 6.5 | 180 (25℃) /176 (100℃) |
| 85WCu | 85±2% | 16.4 | 7.2 | 190 (25℃)/183 (100℃) |
| 80WCu | 80±2% | 15.65 | 8.3 | 200 (25℃)/197 (100℃) |
| 75WCu | 75±2% | 14.9 | 9.0 | 230 (25℃)/220 (100℃) |
| 50WCu | 50±2% | 12.2 | 12.5 | 340 (25℃)/310 (100℃) |
신청:
전자 제품 및 자동 엔진에 있는 고열 저항으로 1.Used. 컴퓨터 같이 속도의 느린 것 귀착되는 열의 상당한 양을 생성합니다. 텅스텐 합금 열 싱크는 이 문제를 해결할 수 있습니다.
광전자공학 포장 마이크로파 포장, 포장, 레이저 서브 마운트s, 등과 같은 신청에 있는 2.Used.
열 싱크가 포탄 잇 캡슐에 넣기 대로 3.Used.
RF를 위한 열 설치 판, 칩 운반대, 플랜지 및 구조, 마이크로파 밀리미터 파 포장에 있는 4.Used는 LDMOS FET를 좋아합니다; MSFET; HBT; 양극; HEMT; MMIC, 발광 다이오드 및 발견자의 레이저 다이오드 포장은 광전자공학 증폭기를 위한 맥박, CW, 단 하나 이미터, 막대기 및 복잡한 운반대, 수신기, 전송기, 조율 가능한 레이저를 좋아합니다.
제품 그림:
우리는 또한 텅스텐에게 마이크로 전자공학 포장, 세라믹 포장, IC 집합 및 나비 포장을 위한 구리 운반대, 텅스텐 구리 열 싱크, 텅스텐 구리 열 스프레더 및 텅스텐 구리 서브 마운트s를 제안합니다.
